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Microchip Tech MNS2N3501UBP/TR
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | MNS2N3501UBP/TR |
| Codice Parte EBEE | E83202299 |
| Confezione | SMD-3P |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 150V 500mW 100@150mA,10V 300mA NPN SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $48.3725 | $ 48.3725 |
| 200+ | $18.7202 | $ 3744.0400 |
| 500+ | $18.0619 | $ 9030.9500 |
| 1000+ | $17.7371 | $ 17737.1000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 300mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 500mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 10uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 150V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 400mV@150mA,15mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $48.3725 | $ 48.3725 |
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| 500+ | $18.0619 | $ 9030.9500 |
| 1000+ | $17.7371 | $ 17737.1000 |
