| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | JANSR2N3439 |
| Codice Parte EBEE | E83201254 |
| Confezione | TO-39(TO-205AD) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 350V 800mW 40@20mA,10V NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $806.2989 | $ 806.2989 |
| 200+ | $312.0278 | $ 62405.5600 |
| 500+ | $301.0620 | $ 150531.0000 |
| 1000+ | $295.6446 | $ 295644.6000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP JANSR2N3439 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | - | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 800mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 2uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 350V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 500mV@50mA,4mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $806.2989 | $ 806.2989 |
| 200+ | $312.0278 | $ 62405.5600 |
| 500+ | $301.0620 | $ 150531.0000 |
| 1000+ | $295.6446 | $ 295644.6000 |
