| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | JANSR2N2219 |
| Codice Parte EBEE | E83201216 |
| Confezione | TO-39(TO-205AD) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 50V 800mW 100@150mA,10V 800mA NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $348.2934 | $ 348.2934 |
| 200+ | $134.7848 | $ 26956.9600 |
| 500+ | $130.0489 | $ 65024.4500 |
| 1000+ | $127.7084 | $ 127708.4000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP JANSR2N2219 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 800mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 800mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 10nA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 50V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 1.6V@500mA,50mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $348.2934 | $ 348.2934 |
| 200+ | $134.7848 | $ 26956.9600 |
| 500+ | $130.0489 | $ 65024.4500 |
| 1000+ | $127.7084 | $ 127708.4000 |
