| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | JANSD2N2218 |
| Codice Parte EBEE | E86578667 |
| Confezione | TO-39(TO-205AD) |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 50V 800mW 40@150mA,10V 800mA NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $348.9360 | $ 348.9360 |
| 200+ | $139.2280 | $ 27845.6000 |
| 500+ | $134.5763 | $ 67288.1500 |
| 1000+ | $132.2776 | $ 132277.6000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 800mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 800mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 10nA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 50V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 40@150mA,10V | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 1.6V@50mA,500mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $348.9360 | $ 348.9360 |
| 200+ | $139.2280 | $ 27845.6000 |
| 500+ | $134.5763 | $ 67288.1500 |
| 1000+ | $132.2776 | $ 132277.6000 |
