| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | JANS2N6989 |
| Codice Parte EBEE | E83200700 |
| Confezione | DIP-14 |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 50V 1.5W 100@150mA,10V 800mA NPN DIP-14 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $550.9549 | $ 550.9549 |
| 200+ | $213.2123 | $ 42642.4600 |
| 500+ | $205.7189 | $ 102859.4500 |
| 1000+ | $202.0175 | $ 202017.5000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 800mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1.5W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 10uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 50V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 1V@500mA,50mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $550.9549 | $ 550.9549 |
| 200+ | $213.2123 | $ 42642.4600 |
| 500+ | $205.7189 | $ 102859.4500 |
| 1000+ | $202.0175 | $ 202017.5000 |
