| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | JANS2N3499 |
| Codice Parte EBEE | E83201267 |
| Confezione | TO-39(TO-205AD) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 1W 100@150mA,10V 500mA NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $165.2587 | $ 165.2587 |
| 200+ | $63.9536 | $ 12790.7200 |
| 500+ | $61.7054 | $ 30852.7000 |
| 1000+ | $60.5964 | $ 60596.4000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP JANS2N3499 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 500mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 10uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 100V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 600mV@300mA,30mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $165.2587 | $ 165.2587 |
| 200+ | $63.9536 | $ 12790.7200 |
| 500+ | $61.7054 | $ 30852.7000 |
| 1000+ | $60.5964 | $ 60596.4000 |
