| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | JAN2N5666U3 |
| Codice Parte EBEE | E83202188 |
| Confezione | U-3(TO-276AA) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 200V 1.2W 40@1A,5V 5A NPN U-3(TO-276AA) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $622.2972 | $ 622.2972 |
| 200+ | $240.8222 | $ 48164.4400 |
| 500+ | $232.3583 | $ 116179.1500 |
| 1000+ | $228.1760 | $ 228176.0000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP JAN2N5666U3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1.2W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 200nA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 200V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 40@1A,5V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 1V@5A,1A | |
| Tipo di transistor | NPN |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $622.2972 | $ 622.2972 |
| 200+ | $240.8222 | $ 48164.4400 |
| 500+ | $232.3583 | $ 116179.1500 |
| 1000+ | $228.1760 | $ 228176.0000 |
