| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | JAN2N3019S |
| Codice Parte EBEE | E87211506 |
| Confezione | TO-39 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 80V 800mW 50@500mA,10V 1A NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $47.4228 | $ 47.4228 |
| 200+ | $18.9224 | $ 3784.4800 |
| 500+ | $18.2898 | $ 9144.9000 |
| 1000+ | $17.9778 | $ 17977.8000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP JAN2N3019S | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 800mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 10uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 80V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 50@500mA,10V | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 500mV@50mA,500mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $47.4228 | $ 47.4228 |
| 200+ | $18.9224 | $ 3784.4800 |
| 500+ | $18.2898 | $ 9144.9000 |
| 1000+ | $17.9778 | $ 17977.8000 |
