| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | JAN2N1613L |
| Codice Parte EBEE | E83201346 |
| Confezione | TO-5 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 800mW 40@150mA,10V 500mA NPN TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $308.0940 | $ 308.0940 |
| 200+ | $119.2286 | $ 23845.7200 |
| 500+ | $115.0391 | $ 57519.5500 |
| 1000+ | $112.9683 | $ 112968.3000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP JAN2N1613L | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 500mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 800mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 10uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 30V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 40@150mA,10V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 1.5V@150mA,15mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $308.0940 | $ 308.0940 |
| 200+ | $119.2286 | $ 23845.7200 |
| 500+ | $115.0391 | $ 57519.5500 |
| 1000+ | $112.9683 | $ 112968.3000 |
