| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | JAN2N1486 |
| Codice Parte EBEE | E86211990 |
| Confezione | TO-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 55V 1.75W 35@750mA,4V 3A NPN TO-8 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $555.5141 | $ 555.5141 |
| 200+ | $221.6543 | $ 44330.8600 |
| 500+ | $214.2483 | $ 107124.1500 |
| 1000+ | $210.5871 | $ 210587.1000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP JAN2N1486 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 3A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1.75W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 15uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 55V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 35@750mA,4V | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 750mV@40mA,750A | |
| Tipo di transistor | NPN |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $555.5141 | $ 555.5141 |
| 200+ | $221.6543 | $ 44330.8600 |
| 500+ | $214.2483 | $ 107124.1500 |
| 1000+ | $210.5871 | $ 210587.1000 |
