| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | JAN2N1481 |
| Codice Parte EBEE | E83201386 |
| Confezione | TO-5 |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 40V 1W 35@200mA,4V 1.5A NPN TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $390.2531 | $ 390.2531 |
| 200+ | $151.0225 | $ 30204.5000 |
| 500+ | $145.7152 | $ 72857.6000 |
| 1000+ | $143.0927 | $ 143092.7000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 1.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 5uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 40V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 35@200mA,4V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 750mV@200mA,10mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $390.2531 | $ 390.2531 |
| 200+ | $151.0225 | $ 30204.5000 |
| 500+ | $145.7152 | $ 72857.6000 |
| 1000+ | $143.0927 | $ 143092.7000 |
