| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APTM60H23FT1G |
| Codice Parte EBEE | E817466596 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 20A 276mΩ@10V,17A 208W 5V@1mA 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $215.4888 | $ 215.4888 |
| 200+ | $85.9824 | $ 17196.4800 |
| 500+ | $83.1083 | $ 41554.1500 |
| 1000+ | $81.6886 | $ 81688.6000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 4 N-channel | |
| La configurazione | Half Bridge | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 20A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 276mΩ@10V,17A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 208W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 5V@1mA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 5.316nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 165nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $215.4888 | $ 215.4888 |
| 200+ | $85.9824 | $ 17196.4800 |
| 500+ | $83.1083 | $ 41554.1500 |
| 1000+ | $81.6886 | $ 81688.6000 |
