| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APTM50H10FT3G |
| Codice Parte EBEE | E817536902 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 500V 37A 120mΩ@10V,18.5A 312W 5V@1mA 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $272.8208 | $ 272.8208 |
| 200+ | $108.8584 | $ 21771.6800 |
| 500+ | $105.2196 | $ 52609.8000 |
| 1000+ | $103.4238 | $ 103423.8000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 4 N-channel | |
| La configurazione | Half Bridge | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 500V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 37A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 120mΩ@10V,18.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 312W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 5V@1mA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 4.367nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 96nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $272.8208 | $ 272.8208 |
| 200+ | $108.8584 | $ 21771.6800 |
| 500+ | $105.2196 | $ 52609.8000 |
| 1000+ | $103.4238 | $ 103423.8000 |
