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Microchip Tech APTM10HM19FT3G


Produttore
Codice Parte Mfr.
APTM10HM19FT3G
Codice Parte EBEE
E817677655
Confezione
-
Numero Cliente
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
100V 70A 21mΩ@10V,35A 208W 4V@1mA 4 N-channel MOSFETs ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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Nome Contatto
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Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$284.5192$ 284.5192
200+$113.5249$ 22704.9800
500+$109.7310$ 54865.5000
1000+$107.8568$ 107856.8000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays
RoHS
Temperatura di funzionamento-40℃~+150℃@(Tj)
Tipo di tipo4 N-channel
La configurazioneHalf Bridge
Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss)100V
Corrente di scarico continuo (Id)70A
Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id)21mΩ@10V,35A
Dissipazione di potenza (Pd)208W
Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id)4V@1mA
Capacità di ingresso (Ciss-Vds)5.1nF@25V
Carica totale del cancello (Qg-Vgs)200nC@10V

Guida all’acquisto

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