| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APTM10DUM02G |
| Codice Parte EBEE | E817542892 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 495A 2.5mΩ@10V,200A 1.25kW 4V@10mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $976.9815 | $ 976.9815 |
| 200+ | $389.8224 | $ 77964.4800 |
| 500+ | $376.7967 | $ 188398.3500 |
| 1000+ | $370.3588 | $ 370358.8000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 2 N-Channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 100V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 495A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.5mΩ@10V,200A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1.25kW | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@10mA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 40nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 1.36uC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $976.9815 | $ 976.9815 |
| 200+ | $389.8224 | $ 77964.4800 |
| 500+ | $376.7967 | $ 188398.3500 |
| 1000+ | $370.3588 | $ 370358.8000 |
