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Microchip Tech APTM100H45FT3G
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APTM100H45FT3G |
| Codice Parte EBEE | E817547533 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 1kV 18A 540mΩ@10V,9A 357W [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $349.1828 | $ 349.1828 |
| 200+ | $139.3272 | $ 27865.4400 |
| 500+ | $134.6712 | $ 67335.6000 |
| 1000+ | $132.3702 | $ 132370.2000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP APTM100H45FT3G | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 4 N-channel | |
| La configurazione | Half Bridge | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 1kV | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 18A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 540mΩ@10V,9A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 357W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 4.35nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 154nC@10V |
Guida all’acquisto
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $349.1828 | $ 349.1828 |
| 200+ | $139.3272 | $ 27865.4400 |
| 500+ | $134.6712 | $ 67335.6000 |
| 1000+ | $132.3702 | $ 132370.2000 |
