| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APTM100H35FTG |
| Codice Parte EBEE | E817571915 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 1kV 22A 420mΩ@10V,11A 390W [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $628.7324 | $ 628.7324 |
| 200+ | $250.8680 | $ 50173.6000 |
| 500+ | $242.4861 | $ 121243.0500 |
| 1000+ | $238.3439 | $ 238343.9000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 4 N-channel | |
| La configurazione | Half Bridge | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 1kV | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 22A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 420mΩ@10V,11A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 390W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 5.2nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 186nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $628.7324 | $ 628.7324 |
| 200+ | $250.8680 | $ 50173.6000 |
| 500+ | $242.4861 | $ 121243.0500 |
| 1000+ | $238.3439 | $ 238343.9000 |
