Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
Microchip Tech APTM100H35FT3G
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APTM100H35FT3G |
| Codice Parte EBEE | E817426965 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 1kV 22A 420mΩ@10V,11A 390W [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $372.9141 | $ 372.9141 |
| 200+ | $148.7960 | $ 29759.2000 |
| 500+ | $143.8230 | $ 71911.5000 |
| 1000+ | $141.3670 | $ 141367.0000 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 4 N-channel | |
| La configurazione | Half Bridge | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 1kV | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 22A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 420mΩ@10V,11A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 390W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 5.2nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 186nC@10V |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $372.9141 | $ 372.9141 |
| 200+ | $148.7960 | $ 29759.2000 |
| 500+ | $143.8230 | $ 71911.5000 |
| 1000+ | $141.3670 | $ 141367.0000 |
