Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
Microchip Tech APTM100A13SG
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APTM100A13SG |
| Codice Parte EBEE | E817550088 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 1kV 65A 1.25kW 156mΩ@10V,32.5A 5V@6mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $921.0325 | $ 921.0325 |
| 200+ | $367.4986 | $ 73499.7200 |
| 500+ | $355.2183 | $ 177609.1500 |
| 1000+ | $349.1497 | $ 349149.7000 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 2 N-Channel | |
| La configurazione | Half Bridge | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 1kV | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 65A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 156mΩ@10V,32.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1.25kW | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 5V@6mA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 15.2nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 562nC@10V |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $921.0325 | $ 921.0325 |
| 200+ | $367.4986 | $ 73499.7200 |
| 500+ | $355.2183 | $ 177609.1500 |
| 1000+ | $349.1497 | $ 349149.7000 |
