| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APTM100A13DG |
| Codice Parte EBEE | E817570354 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 1kV 65A 1.25kW 156mΩ@10V,32.5A 5V@6mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $895.6047 | $ 895.6047 |
| 200+ | $357.3522 | $ 71470.4400 |
| 500+ | $345.4116 | $ 172705.8000 |
| 1000+ | $339.5101 | $ 339510.1000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 2 N-Channel | |
| La configurazione | Half Bridge | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 1kV | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 65A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 156mΩ@10V,32.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1.25kW | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 5V@6mA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 15.2nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 562nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $895.6047 | $ 895.6047 |
| 200+ | $357.3522 | $ 71470.4400 |
| 500+ | $345.4116 | $ 172705.8000 |
| 1000+ | $339.5101 | $ 339510.1000 |
