| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APTC60VDAM45T1G |
| Codice Parte EBEE | E817525228 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 49A 250W 45mΩ@10V,24.5A 3.9V@3mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $233.7419 | $ 233.7419 |
| 200+ | $93.2651 | $ 18653.0200 |
| 500+ | $90.1490 | $ 45074.5000 |
| 1000+ | $88.6091 | $ 88609.1000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP APTC60VDAM45T1G | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 2 N-Channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 49A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 45mΩ@10V,24.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 250W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3.9V@3mA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 7.2nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 150nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $233.7419 | $ 233.7419 |
| 200+ | $93.2651 | $ 18653.0200 |
| 500+ | $90.1490 | $ 45074.5000 |
| 1000+ | $88.6091 | $ 88609.1000 |
