| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | APT58M50J |
| Codice Parte EBEE | E86746433 |
| Confezione | SOT-227B-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 500V 58A 540W 65mΩ@10V,42A [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $113.1674 | $ 113.1674 |
| 200+ | $45.1551 | $ 9031.0200 |
| 500+ | $43.6458 | $ 21822.9000 |
| 1000+ | $42.9017 | $ 42901.7000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP APT58M50J | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 500V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 58A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 65mΩ@10V,42A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 540W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 185pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 13.5nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 340nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $113.1674 | $ 113.1674 |
| 200+ | $45.1551 | $ 9031.0200 |
| 500+ | $43.6458 | $ 21822.9000 |
| 1000+ | $42.9017 | $ 42901.7000 |
