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Microchip Tech 2N6327
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N6327 |
| Codice Parte EBEE | E83201114 |
| Confezione | TO-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 80V 200W 30A PNP TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,242.6424 | $ 1242.6424 |
| 200+ | $480.8868 | $ 96177.3600 |
| 500+ | $463.9872 | $ 231993.6000 |
| 1000+ | $455.6368 | $ 455636.8000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP 2N6327 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | - | |
| Corrente del collettore (Ic) | 30A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 200W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | - | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 80V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | - | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | - | |
| Tipo di transistor | PNP |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $1,242.6424 | $ 1242.6424 |
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| 500+ | $463.9872 | $ 231993.6000 |
| 1000+ | $455.6368 | $ 455636.8000 |
