| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N5416U4 |
| Codice Parte EBEE | E83202204 |
| Confezione | SMD-3P |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 300V 1W 30@50mA,10V 1A PNP SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $431.0913 | $ 431.0913 |
| 200+ | $166.8273 | $ 33365.4600 |
| 500+ | $160.9646 | $ 80482.3000 |
| 1000+ | $158.0669 | $ 158066.9000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP 2N5416U4 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 50uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 300V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 30@50mA,10V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 2V@50mA,5mA | |
| Tipo di transistor | PNP |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $431.0913 | $ 431.0913 |
| 200+ | $166.8273 | $ 33365.4600 |
| 500+ | $160.9646 | $ 80482.3000 |
| 1000+ | $158.0669 | $ 158066.9000 |
