| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N5416S |
| Codice Parte EBEE | E83201228 |
| Confezione | TO-39(TO-205AD) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 300V 750mW 30@50mA,10V PNP TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $89.7856 | $ 89.7856 |
| 200+ | $34.7467 | $ 6949.3400 |
| 500+ | $33.5260 | $ 16763.0000 |
| 1000+ | $32.9225 | $ 32922.5000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP 2N5416S | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | - | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 750mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 50uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 300V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 30@50mA,10V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 2V@50mA,5mA | |
| Tipo di transistor | PNP |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $89.7856 | $ 89.7856 |
| 200+ | $34.7467 | $ 6949.3400 |
| 500+ | $33.5260 | $ 16763.0000 |
| 1000+ | $32.9225 | $ 32922.5000 |
