| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N3997 |
| Codice Parte EBEE | E85487616 |
| Confezione | TO-111 |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 80V 2W 80@1A,2V 10A NPN TO-111 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $721.9700 | $ 721.9700 |
| 200+ | $288.0714 | $ 57614.2800 |
| 500+ | $278.4454 | $ 139222.7000 |
| 1000+ | $273.6882 | $ 273688.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 10A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 2W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 10uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 80V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 80@1A,2V | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 2V@500mA,5A | |
| Tipo di transistor | NPN |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $721.9700 | $ 721.9700 |
| 200+ | $288.0714 | $ 57614.2800 |
| 500+ | $278.4454 | $ 139222.7000 |
| 1000+ | $273.6882 | $ 273688.2000 |
