| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N3868U4 |
| Codice Parte EBEE | E83202201 |
| Confezione | SMD-3P |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 1W [email protected],2V 3mA PNP SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $199.2600 | $ 199.2600 |
| 200+ | $77.1110 | $ 15422.2000 |
| 500+ | $74.4014 | $ 37200.7000 |
| 1000+ | $73.0635 | $ 73063.5000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP 2N3868U4 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 3mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 100uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 60V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | [email protected],2V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | [email protected],250mA | |
| Tipo di transistor | PNP |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $199.2600 | $ 199.2600 |
| 200+ | $77.1110 | $ 15422.2000 |
| 500+ | $74.4014 | $ 37200.7000 |
| 1000+ | $73.0635 | $ 73063.5000 |
