| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N3838/TR |
| Codice Parte EBEE | E83198385 |
| Confezione | Flatpack-6 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 40V 350mW 100@150mA,10V 600mA NPN+PNP Flatpack-6 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $149.4911 | $ 149.4911 |
| 200+ | $57.8514 | $ 11570.2800 |
| 500+ | $55.8179 | $ 27908.9500 |
| 1000+ | $54.8136 | $ 54813.6000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP 2N3838/TR | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 600mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 350mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 10uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 40V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 400mV@150mA,15mA | |
| Tipo di transistor | NPN+PNP |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $149.4911 | $ 149.4911 |
| 200+ | $57.8514 | $ 11570.2800 |
| 500+ | $55.8179 | $ 27908.9500 |
| 1000+ | $54.8136 | $ 54813.6000 |
