| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N3810U/TR |
| Codice Parte EBEE | E83201460 |
| Confezione | TO-78-6 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 350mW 150@1mA,5V 50mA PNP TO-78-6 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $108.4720 | $ 108.4720 |
| 200+ | $41.9774 | $ 8395.4800 |
| 500+ | $40.5029 | $ 20251.4500 |
| 1000+ | $39.7737 | $ 39773.7000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP 2N3810U/TR | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 50mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 350mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 10uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 60V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 150@1mA,5V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 250mV@1mA,100uA | |
| Tipo di transistor | PNP |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $108.4720 | $ 108.4720 |
| 200+ | $41.9774 | $ 8395.4800 |
| 500+ | $40.5029 | $ 20251.4500 |
| 1000+ | $39.7737 | $ 39773.7000 |
