| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N3739 |
| Codice Parte EBEE | E83201411 |
| Confezione | TO-66(TO-213AA) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 300V 20W 25@250mA,10V 1A NPN TO-66(TO-213AA) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $117.3440 | $ 117.3440 |
| 200+ | $45.4110 | $ 9082.2000 |
| 500+ | $43.8158 | $ 21907.9000 |
| 1000+ | $43.0261 | $ 43026.1000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP 2N3739 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 20W | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 100uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 300V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 25@250mA,10V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 2.5V@250mA,25mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $117.3440 | $ 117.3440 |
| 200+ | $45.4110 | $ 9082.2000 |
| 500+ | $43.8158 | $ 21907.9000 |
| 1000+ | $43.0261 | $ 43026.1000 |
