| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N3439U4 |
| Codice Parte EBEE | E83202196 |
| Confezione | SMD-3P |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 350V 800mW 40@20mA,10V 1A NPN SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $707.5828 | $ 707.5828 |
| 200+ | $273.8264 | $ 54765.2800 |
| 500+ | $264.2019 | $ 132100.9500 |
| 1000+ | $259.4483 | $ 259448.3000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP 2N3439U4 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 800mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 2uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 350V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 500mV@50mA,4mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $707.5828 | $ 707.5828 |
| 200+ | $273.8264 | $ 54765.2800 |
| 500+ | $264.2019 | $ 132100.9500 |
| 1000+ | $259.4483 | $ 259448.3000 |
