| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N3439P |
| Codice Parte EBEE | E86404295 |
| Confezione | TO-39(TO-205AD) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 350V 800mW 40@20mA,10V 1A NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $73.8177 | $ 73.8177 |
| 200+ | $29.4539 | $ 5890.7800 |
| 500+ | $28.4710 | $ 14235.5000 |
| 1000+ | $27.9830 | $ 27983.0000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP 2N3439P | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+200℃ | |
| Corrente del collettore (Ic) | 1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 800mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 2uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 350V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 500mV@4mA,50mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $73.8177 | $ 73.8177 |
| 200+ | $29.4539 | $ 5890.7800 |
| 500+ | $28.4710 | $ 14235.5000 |
| 1000+ | $27.9830 | $ 27983.0000 |
