| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N3019S |
| Codice Parte EBEE | E85503504 |
| Confezione | TO-39(TO-205AD) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 80V 800mW 50@500mA,10V 1A NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $57.8594 | $ 57.8594 |
| 200+ | $23.0876 | $ 4617.5200 |
| 500+ | $22.3158 | $ 11157.9000 |
| 1000+ | $21.9341 | $ 21934.1000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP 2N3019S | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 800mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 10uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 80V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 50@500mA,10V | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 500mV@50mA,500mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $57.8594 | $ 57.8594 |
| 200+ | $23.0876 | $ 4617.5200 |
| 500+ | $22.3158 | $ 11157.9000 |
| 1000+ | $21.9341 | $ 21934.1000 |
