| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N2905 |
| Codice Parte EBEE | E83201207 |
| Confezione | TO-39(TO-205AD) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 800mW 100@150mA,10V PNP TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $60.8910 | $ 60.8910 |
| 200+ | $23.5643 | $ 4712.8600 |
| 500+ | $22.7356 | $ 11367.8000 |
| 1000+ | $22.3276 | $ 22327.6000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | MICROCHIP 2N2905 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | - | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 800mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 1uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 60V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| Frequenza di transizione (fT) | - | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 1.6V@500mA,50mA | |
| Tipo di transistor | PNP |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $60.8910 | $ 60.8910 |
| 200+ | $23.5643 | $ 4712.8600 |
| 500+ | $22.7356 | $ 11367.8000 |
| 1000+ | $22.3276 | $ 22327.6000 |
