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Microchip Tech 1N5811US
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 1N5811US |
| Codice Parte EBEE | E83646990 |
| Confezione | MELF |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | MELF Diodes - General Purpose ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
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| 1+ | $15.6071 | $ 15.6071 |
| 10+ | $14.9808 | $ 149.8080 |
| 30+ | $13.8938 | $ 416.8140 |
| 100+ | $12.9457 | $ 1294.5700 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Diodi di Dio ,Diodi - Scopo generale | |
| Scheda Tecnica | Microchip Tech 1N5811US | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 5uA | |
| Configurazione del Diodo | 1 Independent | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 875mV@4A | |
| Current - Rectified | 6A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 125A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+175℃ |
Guida all’acquisto
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