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MDD(Microdiode Semiconductor) US1G
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | US1G |
| Codice Parte EBEE | E8415549 |
| Confezione | SMA |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 1.3V@1A 50ns Independent Type 1A 400V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0123 | $ 0.6150 |
| 500+ | $0.0098 | $ 4.9000 |
| 1500+ | $0.0084 | $ 12.6000 |
| 5000+ | $0.0073 | $ 36.5000 |
| 25000+ | $0.0067 | $ 167.5000 |
| 50000+ | $0.0063 | $ 315.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Diodi di Dio ,Recupero rapido / diodi ad alta efficienza | |
| Scheda Tecnica | MDD(Microdiode Semiconductor) US1G | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 50uA | |
| Configurazione del Diodo | Independent | |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
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