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MDD(Microdiode Semiconductor) S8050-J3Y
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | S8050 |
| Codice Parte EBEE | E8364312 |
| Confezione | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 25V 300mW 120@50mA,1V 500mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0110 | $ 0.5500 |
| 500+ | $0.0090 | $ 4.5000 |
| 3000+ | $0.0054 | $ 16.2000 |
| 6000+ | $0.0047 | $ 28.2000 |
| 24000+ | $0.0044 | $ 105.6000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,Bipolare (BJT) | |
| Scheda Tecnica | MDD(Microdiode Semiconductor) S8050 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 25V | |
| Current - Collector(Ic) | 500mA | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| DC Current Gain | 400 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 5V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 600mV | |
| Transition frequency(fT) | 150MHz |
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