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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD4N65D
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | MDD4N65D |
| Codice Parte EBEE | E85299402 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| Descrizione | 650V 4A 77W 2.8Ω@10V,2A 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1313 | $ 0.6565 |
| 50+ | $0.1060 | $ 5.3000 |
| 150+ | $0.0934 | $ 14.0100 |
| 500+ | $0.0839 | $ 41.9500 |
| 2500+ | $0.0694 | $ 173.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD4N65D | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 2.8Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 77W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 600pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC |
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| 500+ | $0.0839 | $ 41.9500 |
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