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LGE 1N5819
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 1N5819 |
| Codice Parte EBEE | E8402218 |
| Confezione | DO-41 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 40V Independent Type 900mV@3A 1A DO-41 Schottky Diodes ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Diodi di Dio ,I Diodi di Schottky | |
| Scheda Tecnica | LGE 1N5819 | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 1mA@40V | |
| Configurazione del Diodo | Independent | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 900mV@3A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+125℃ |
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