Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
ISSI(Integrated Silicon Solution) IS34ML01G081-BLI
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IS34ML01G081-BLI |
| Codice Parte EBEE | E81348840 |
| Confezione | VFBGA-63(9x11) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | 3A991B1A |
| Descrizione | 2.7V~3.6V 1Gbit VFBGA-63(9x11) NAND FLASH ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>59 In Magazzino per Consegna Rapida
59 disponibile per consegna immediataPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4777 | $ 4.4777 |
| 10+ | $3.8031 | $ 38.0310 |
| 30+ | $3.4015 | $ 102.0450 |
| 100+ | $2.9952 | $ 299.5200 |
| 500+ | $2.8079 | $ 1403.9500 |
| 1000+ | $2.7238 | $ 2723.8000 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | La memoria ,NAND FLASH | |
| Scheda Tecnica | ISSI(Integrated Silicon Solution) IS34ML01G081-BLI | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+85℃ | |
| Interfaccia di interfaccia | - | |
| Tensione - Fornitura di | 2.7V~3.6V | |
| Dimensione della memoria | 1Gbit | |
| Tempo di programmazione della pagina (Tpp) | 400us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Standby Supply Current | 10uA | |
| Write Cycle Time(tWC) | 25ns | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3ms |
Guida all’acquisto
Espandi
59 Stock for Shipping Fast
59 available for immediate shippingPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4777 | $ 4.4777 |
| 10+ | $3.8031 | $ 38.0310 |
| 30+ | $3.4015 | $ 102.0450 |
| 100+ | $2.9952 | $ 299.5200 |
| 500+ | $2.8079 | $ 1403.9500 |
| 1000+ | $2.7238 | $ 2723.8000 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
