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InventChip IV1D12010O2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IV1D12010O2 |
| Codice Parte EBEE | E82894799 |
| Confezione | TO-220-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 1.2kV Independent Type 1.56V@10A 28A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3499 | $ 4.3499 |
| 10+ | $3.7782 | $ 37.7820 |
| 50+ | $3.0333 | $ 151.6650 |
| 100+ | $2.6900 | $ 269.0000 |
| 500+ | $2.5306 | $ 1265.3000 |
| 1000+ | $2.4585 | $ 2458.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | InventChip IV1D12010O2 | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | [email protected] | |
| Configurazione del Diodo | Independent | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.56V@10A | |
| Current - Rectified | 28A |
Guida all’acquisto
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| 50+ | $3.0333 | $ 151.6650 |
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| 1000+ | $2.4585 | $ 2458.5000 |
