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Infineon Technologies IDK08G65C5XTMA2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IDK08G65C5XTMA2 |
| Codice Parte EBEE | E83758485 |
| Confezione | TO-263-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 1.8V@8A 8A TO-263-2 SiC Diodes ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | Infineon Technologies IDK08G65C5XTMA2 | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 140uA@650V | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.8V@8A | |
| Current - Rectified | 8A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 68A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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