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Infineon Technologies IDH10SG60C
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IDH10SG60C |
| Codice Parte EBEE | E8535874 |
| Confezione | TO-220-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 1.8V@10A 10A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
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| 10+ | $3.1628 | $ 31.6280 |
| 50+ | $3.0578 | $ 152.8900 |
| 100+ | $2.9512 | $ 295.1200 |
| 500+ | $2.9034 | $ 1451.7000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | Infineon Technologies IDH10SG60C | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 800nA@600V | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.8V@10A | |
| Current - Rectified | 10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 410A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
Guida all’acquisto
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