| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IDH10G65C6 |
| Codice Parte EBEE | E8535873 |
| Confezione | TO-220-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 1.25V@10A Independent Type 24A TO-220-2 SiC Diodes ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5623 | $ 2.5623 |
| 10+ | $2.1779 | $ 21.7790 |
| 50+ | $1.8616 | $ 93.0800 |
| 100+ | $1.6149 | $ 161.4900 |
| 500+ | $1.5042 | $ 752.1000 |
| 1000+ | $1.4551 | $ 1455.1000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | Infineon Technologies IDH10G65C6 | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 1uA@420V | |
| Configurazione del Diodo | Independent | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@10A | |
| Current - Rectified | 24A |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5623 | $ 2.5623 |
| 10+ | $2.1779 | $ 21.7790 |
| 50+ | $1.8616 | $ 93.0800 |
| 100+ | $1.6149 | $ 161.4900 |
| 500+ | $1.5042 | $ 752.1000 |
| 1000+ | $1.4551 | $ 1455.1000 |
