| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IDD10SG60CXTMA2 |
| Codice Parte EBEE | E85772385 |
| Confezione | TO-252-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 2.1V@10A 10A TO-252-3 SiC Diodes ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.9997 | $ 12.9997 |
| 10+ | $11.4256 | $ 114.2560 |
| 30+ | $10.4651 | $ 313.9530 |
| 100+ | $9.6604 | $ 966.0400 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Diodi di SiC | |
| Scheda Tecnica | Infineon Technologies IDD10SG60CXTMA2 | |
| RoHS | ||
| Corrente di perdita inversa (Ir) | 90uA@600V | |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 2.1V@10A | |
| Current - Rectified | 10A |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.9997 | $ 12.9997 |
| 10+ | $11.4256 | $ 114.2560 |
| 30+ | $10.4651 | $ 313.9530 |
| 100+ | $9.6604 | $ 966.0400 |
