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Infineon Technologies BFR193WH6327
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | BFR193WH6327 |
| Codice Parte EBEE | E8152683 |
| Confezione | SOT-323 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 12V 580mW 70@30mA,8V 80mA NPN SOT-323-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2306 | $ 1.1530 |
| 50+ | $0.1850 | $ 9.2500 |
| 150+ | $0.1655 | $ 24.8250 |
| 500+ | $0.1411 | $ 70.5500 |
| 3000+ | $0.1152 | $ 345.6000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,Bipolare (BJT) | |
| Scheda Tecnica | Infineon Technologies BFR193WH6327 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | NPN | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 12V | |
| Current - Collector(Ic) | 80mA | |
| Number | 1 NPN | |
| Pd - Power Dissipation | 580mW | |
| DC Current Gain | 70 | |
| Emitter-Base Voltage(Vebo) | 2V | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | - | |
| Transition frequency(fT) | 8GHz |
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