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Infineon/Cypress Semicon S34ML02G100BHI003
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | S34ML02G100BHI003 |
| Codice Parte EBEE | E82759941 |
| Confezione | BGA-63 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 2.7V~3.6V 2Gbit BGA-63 NAND FLASH ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.5090 | $ 4.5090 |
| 10+ | $3.8735 | $ 38.7350 |
| 30+ | $3.4962 | $ 104.8860 |
| 100+ | $2.8143 | $ 281.4300 |
| 500+ | $2.6396 | $ 1319.8000 |
| 1000+ | $2.5592 | $ 2559.2000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | La memoria ,NAND FLASH | |
| Scheda Tecnica | Infineon/Cypress Semicon S34ML02G100BHI003 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+85℃ | |
| Interfaccia di interfaccia | - | |
| Tensione - Fornitura di | 2.7V~3.6V | |
| Frequenza dell'orologio | - | |
| Dimensione della memoria | 2Gbit | |
| Tempo di programmazione della pagina (Tpp) | 200us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Write Cycle Time(tWC) | - | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3.5ms |
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