| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | S34ML01G200TFI000 |
| Codice Parte EBEE | E883656 |
| Confezione | TSOP-48-18.4mm |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | 3A991b1a |
| Descrizione | 2.7V~3.6V 1Gbit TSOP-48-18.4mm NAND FLASH ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3394 | $ 2.3394 |
| 10+ | $1.9951 | $ 19.9510 |
| 30+ | $1.7782 | $ 53.3460 |
| 96+ | $1.5565 | $ 149.4240 |
| 480+ | $1.4575 | $ 699.6000 |
| 960+ | $1.4134 | $ 1356.8640 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | La memoria ,NAND FLASH | |
| Scheda Tecnica | Infineon/Cypress Semicon S34ML01G200TFI000 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+85℃ | |
| Interfaccia di interfaccia | - | |
| Tensione - Fornitura di | 2.7V~3.6V | |
| Frequenza dell'orologio | - | |
| Dimensione della memoria | 1Gbit | |
| Tempo di programmazione della pagina (Tpp) | 300us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Write Cycle Time(tWC) | 25ns | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3ms |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3394 | $ 2.3394 |
| 10+ | $1.9951 | $ 19.9510 |
| 30+ | $1.7782 | $ 53.3460 |
| 96+ | $1.5565 | $ 149.4240 |
| 480+ | $1.4575 | $ 699.6000 |
| 960+ | $1.4134 | $ 1356.8640 |
