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HXY MOSFET US1J


Produttore
Codice Parte Mfr.
US1J
Codice Parte EBEE
E85199104
Confezione
SMA
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
1.7V@1A 75ns Independent Type 1A 600V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS
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200+$0.0089$ 1.7800
600+$0.0076$ 4.5600
2000+$0.0058$ 11.6000
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20000+$0.0048$ 96.0000
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TipoDescrizione
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CategoriaDiodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes
Scheda TecnicaHXY MOSFET US1J
RoHS
Reverse Leakage Current (Ir)5uA@600V
Diode ConfigurationIndependent
Reverse Recovery Time (trr)75ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600V
Voltage - Forward(Vf@If)1.7V@1A
Current - Rectified1A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current30A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+150℃

Guida all’acquisto

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