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HXY MOSFET US1G
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | US1G |
| Codice Parte EBEE | E85199105 |
| Confezione | SMA |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 1.3V@1A 50ns Independent Type 1A 400V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0093 | $ 0.1860 |
| 200+ | $0.0073 | $ 1.4600 |
| 600+ | $0.0062 | $ 3.7200 |
| 2000+ | $0.0054 | $ 10.8000 |
| 10000+ | $0.0048 | $ 48.0000 |
| 20000+ | $0.0045 | $ 90.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes | |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET US1G | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@400V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
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